מספר מוצר של יצרן:
TSM230N06CI C0G
Product Overview
יצרן:
Taiwan Semiconductor Corporation
DiGi Electronics מספר חלק:
TSM230N06CI C0G-DG
תיאור:
MOSFET N-CH 60V 50A ITO220
תיאור מפורט:
N-Channel 60 V 50A (Tc) 42W (Tc) Through Hole ITO-220
מלאי:
12895215
בקשת הצעת מחיר
כמות
מינימום 1
מינימום 1
(*) הוא חובה
נחזור אליך תוך 24 שעות
נחזור אליך תוך 24 שעות
שלח
TSM230N06CI C0G מפרטים טכניים
קטגוריה
שסתומי שדה (FETs), שסתומי MOSFET, טרנזיסטורי FET בודדים, MOSFETs
יצרן
Taiwan Semiconductor
אריזות
-
סדרה
-
סטטוס המוצר
Obsolete
סוג FET
N-Channel
טכנולוגיה
MOSFET (Metal Oxide)
ניקוז למתח מקור (Vdss)
60 V
זרם - ניקוז רציף (ID) @ 25°C
50A (Tc)
מתח כונן (Max Rds On, Min Rds On)
4.5V, 10V
Rds On (מקס) @ ID, Vgs
23mOhm @ 20A, 10V
Vgs(th) (מקס') @ מזהה
2.5V @ 250µA
חיוב שער (Qg) (מרבי) @ VGS
28 nC @ 10 V
VGS (מקס')
±20V
קיבוליות קלט (Ciss) (מרבית) @ Vds
1680 pF @ 25 V
תכונת FET
-
פיזור כוח (מרבי)
42W (Tc)
טמפרטורת פעולה
150°C (TJ)
סוג הרכבה
Through Hole
חבילת מכשירים לספקים
ITO-220
חבילה / מארז
TO-220-3 Full Pack, Isolated Tab
מידע נוסף
שמות אחרים
TSM230N06CIC0G
חבילה סטנדרטית
1
סיווג סביבתי וייצוא
סטטוס RoHS
ROHS3 Compliant
רמת רגישות ללחות (MSL)
1 (Unlimited)
סטטוס REACH
REACH Unaffected
ECCN
EAR99
HTSUS
8541.29.0095
מודלים חלופיים
מספר חלק
TK8R2A06PL,S4X
יצרן
Toshiba Semiconductor and Storage
כמות זמינה
0
DiGi מספר חלק
TK8R2A06PL,S4X-DG
מחיר ליחידה
0.34
סוג משאב
Similar
עבודת תקן DIGI
מוצרים קשורים
DMT47M2SFVW-7
MOSFET N-CH 40V PWRDI3333
DMT3020LFDF-13
MOSFET N-CH 30V 8.4A 6UDFN
DMTH6005LK3Q-13
MOSFET N-CH 60V 90A TO252-2
